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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD12N06RLESM9A.  N CHANNEL MOSFET, 60V, 17mA

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD12N06RLESM9A.
Technical Data Sheet (851.11KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
N Channel
Dauer-Drainstrom Id:
17A
Drain-Source-Spannung Vds:
60V
Betriebswiderstand, Rds(on):
0.052ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs:
10V
Schwellenspannung Vgs:
3V
Verlustleistung Pd:
49W
Bauform:
TO-252AA
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
175°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
-
SVHC:
To Be Advised

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
-
Herkunftsland:
Malaysia

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Produktnachverfolgung
RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.00111

Alternativen

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 17 A, 60 V, 70 mohm, 10 V, 3 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Gurtabschnitte
2.233 Produkt vorrätig

Preiseinheit: Stück (Gurtabschnitt)

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