Low

ROHM  2SB1386T100R  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFE

ROHM 2SB1386T100R
Technical Data Sheet (107.17KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The 2SB1386T100R is a -5A PNP low-frequency epitaxial planar Silicon Transistor offers low collector to emitter saturation voltage.
  • Excellent DC current gain characteristics
  • 2SD2098 Complement

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
20V
Übergangsfrequenz ft:
120MHz
Verlustleistung Pd:
500mW
DC-Kollektorstrom:
4A
DC-Stromverstärkung hFE:
82hFE
Bauform:
SOT-89
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Anwendungen

  • Industrie;
  • Power-Management

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
Japan

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.000141

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