Low

ROHM  2SC5662T2LP  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56 hFE

ROHM 2SC5662T2LP
Technical Data Sheet (147.95KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
11V
Übergangsfrequenz ft:
3.2GHz
Verlustleistung Pd:
150mW
DC-Kollektorstrom:
10mA
DC-Stromverstärkung hFE:
56hFE
Bauform:
VMT
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Finden Sie ähnliche Produkte  sortiert nach gemeinsamen Eigenschaften

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
Japan

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.000026

Ähnliche Produkte

Sie können nach Produkten mit einer ähnlichen Funktionalität wie dieser suchen. Wählen Sie einen der folgenden Links aus. Sie gelangen dann auf eine Seite für Produktgruppen, auf der alle Produkte in dieser Kategorie aufgeführt werden, die über dieses bestimmte Attribut verfügen.