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ROHM  2SD1898T100R  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 500 mA, 82 hFE

ROHM 2SD1898T100R
Technical Data Sheet (412.70KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
80V
Übergangsfrequenz ft:
100MHz
Verlustleistung Pd:
500mW
DC-Kollektorstrom:
500mA
DC-Stromverstärkung hFE:
82hFE
Bauform:
SOT-89
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
Japan

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.000141

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