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ROHM  2SK3018T106  MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V

ROHM 2SK3018T106
Technical Data Sheet (72.33KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The 2SK3018T106 is a N-channel silicon MOSFET offers 30V drain source voltage and ±100mA continuous drain current. It is suitable for use in interfacing, switching applications.
  • Low ON-resistance
  • Fast switching speed
  • 2.5V Low voltage drive makes this device ideal for portable equipment
  • Drive circuits can be simple
  • Parallel use is easy

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
100mA
Drain-Source-Spannung Vds:
30V
Betriebswiderstand, Rds(on):
8ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs:
4V
Schwellenspannung Vgs:
1.5V
Verlustleistung Pd:
200mW
Bauform:
SOT-323
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Anwendungen

  • Power-Management;
  • Tragbare Geräte;
  • Industrie

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
Japan

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.00003

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