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ROHM  DTC114EKAT146  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), digital, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE

ROHM DTC114EKAT146
Technical Data Sheet (2.30MB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The DTC114EKAT146 is a 100mA NPN Digital Transistor with built-in bias resistor. The built-in bias resistor enables the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors.
  • Only ON/OFF conditions need to be set for operation, making the circuit design easy
  • PNP complement is DTA114E series

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
50V
Übergangsfrequenz ft:
250MHz
Verlustleistung Pd:
200mW
DC-Kollektorstrom:
100mA
DC-Stromverstärkung hFE:
30hFE
Bauform:
SC-59
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Anwendungen

  • Industrie;
  • Power-Management

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
Japan

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.019845

Alternativen

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE

NXP

Gurtabschnitte
34.369 Produkt vorrätig

Preiseinheit: Stück (Gurtabschnitt)

5+ € 0,128 90+ € 0,0442 250+ € 0,0372 750+ € 0,0302 Mehr…

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Bipolarer Einzeltransistor (BJT), BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE

NXP

Reel
15.000 Produkt vorrätig

Preiseinheit: Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)

3000+ € 0,0245 9000+ € 0,0218 15000+ € 0,0173

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