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ROHM  DTC114YUAT106  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), digital, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFE

ROHM DTC114YUAT106
Technical Data Sheet (1.94MB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The DTC114YUAT106 is a 100mA NPN Digital Transistor with built-in bias resistor. The built-in bias resistor enables the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors.
  • Only ON/OFF conditions need to be set for operation, making the circuit design easy
  • PNP complement is DTA114Y series

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
50V
Übergangsfrequenz ft:
250MHz
Verlustleistung Pd:
200mW
DC-Kollektorstrom:
100mA
DC-Stromverstärkung hFE:
68hFE
Bauform:
SOT-323
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Anwendungen

  • Industrie;
  • Power-Management

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
Japan

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.00003

Alternativen

Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 Verhältnis, SC-70

ON SEMICONDUCTOR

14.862 Produkt vorrätig

Preiseinheit: Stück (Gurtabschnitt)

1+ € 0,146 10+ € 0,121 100+ € 0,0488 250+ € 0,0365

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