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ROHM  DTD113EKT146  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), digital, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 33 hFE

ROHM DTD113EKT146
Technical Data Sheet (489.48KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The DTD113EKT146 is a 500mA NPN Digital Transistor with built-in bias resistor. The built-in bias resistor enables the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors. The bias resistor consists of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. It also has the advantage of almost completely eliminating parasitic effects.
  • Only ON/OFF conditions need to be set for operation, making the circuit design easy
  • PNP complement is DTB113EK series

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
50V
Übergangsfrequenz ft:
200MHz
Verlustleistung Pd:
200mW
DC-Kollektorstrom:
500mA
DC-Stromverstärkung hFE:
33hFE
Bauform:
SOT-346
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Anwendungen

  • Industrie;
  • Power-Management

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
Japan

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.000032

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