Low

ROHM  MMSTA28T146  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 200 MHz, 200 mW, 100 mA, 10000 hFE

ROHM MMSTA28T146
Technical Data Sheet (63.25KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
80V
Übergangsfrequenz ft:
200MHz
Verlustleistung Pd:
200mW
DC-Kollektorstrom:
100mA
DC-Stromverstärkung hFE:
10000hFE
Bauform:
SOT-346
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Finden Sie ähnliche Produkte  sortiert nach gemeinsamen Eigenschaften

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
Japan

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.000032

Ähnliche Produkte

Sie können nach Produkten mit einer ähnlichen Funktionalität wie dieser suchen. Wählen Sie einen der folgenden Links aus. Sie gelangen dann auf eine Seite für Produktgruppen, auf der alle Produkte in dieser Kategorie aufgeführt werden, die über dieses bestimmte Attribut verfügen.