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ROHM  UMG9NTR  Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-353

ROHM UMG9NTR
Technical Data Sheet (457.64KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The UMG9NTR is a dual NPN digital Bipolar Transistor with built-in biasing resistors. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
  • Ultra-compact complex digital transistor
  • Potential divider type
  • Small surface-mount package

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
50V
Verlustleistung Pd:
150mW
DC-Kollektorstrom:
100mA
DC-Stromverstärkung hFE:
30hFE
Bauform:
SOT-353
Anzahl der Pins:
5Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Anwendungen

  • Motorantrieb & -steuerung;
  • Kommunikation & Netzwerke;
  • Tragbare Geräte;
  • Industrie;
  • Power-Management

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
Japan

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.000035

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