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VISHAY  SI4401BDY-T1-GE3.  P CHANNEL MOSFET, -40V, 10.5A, SOIC

VISHAY SI4401BDY-T1-GE3.
Technical Data Sheet (248.91KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
P Channel
Dauer-Drainstrom Id:
-10.5A
Drain-Source-Spannung Vds:
-40V
Betriebswiderstand, Rds(on):
0.011ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs:
20V
Schwellenspannung Vgs:
-3V
Verlustleistung Pd:
1.5W
Bauform:
SOIC
Anzahl der Pins:
8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - Unlimited
Herkunftsland:
China

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Y-Ex
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.00023

Alternativen

MOSFET, P CHANNEL, -40V, -8.7A, SOIC-8

VISHAY

2.260:  Produkt vorrätig

Preiseinheit: Stück (Gurtabschnitt)

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P CHANNEL MOSFET, -40V, 8.7A, SOIC-8, FULL REEL

VISHAY

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