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VISHAY  SI4910DY-T1-GE3.  DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 6A

VISHAY SI4910DY-T1-GE3.
Technical Data Sheet (98.28KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
Dual N Channel
Dauer-Drainstrom Id:
7.6A
Drain-Source-Spannung Vds:
40V
Betriebswiderstand, Rds(on):
0.022ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs:
10V
Schwellenspannung Vgs:
2V
Verlustleistung Pd:
2W
Bauform:
SOIC
Anzahl der Pins:
8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - Unlimited
Herkunftsland:
China

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Y-Ex
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
0

Alternativen

Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V

VISHAY

Gurtabschnitte
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Preiseinheit: Stück (Gurtabschnitt)

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