VISHAY Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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VS-40HF40
VS-40HF40 - Diodenmodul, 400 V, 40 A, 1.3 V, DO-5, 2 Pin(s)

365646

Diodenmodul, 400 V, 40 A, 1.3 V, DO-5, 2 Pin(s)

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400V 40A 1.3V - DO-5 2Pin(s) 190°C 570A Bolzen VS-40
IRF740LCPBF
IRF740LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage

8648476

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage

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- - - - - 3Pin(s) 150°C - - -
BU2006-E3/45
BU2006-E3/45 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.05 V

1815622

Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.05 V

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600V 20A 1.05V - - 4Pin(s) 150°C 240A - BU200
SIHU7N60E-GE3
SIHU7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage

2283639

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage

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- - - - - 3Pin(s) 150°C - - E
VS-60APU04-N3
VS-60APU04-N3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 60 A, Einfach, 1.25 V, 85 ns, 600 A

2690140

Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 60 A, Einfach, 1.25 V, 85 ns, 600 A

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400V 60A 1.25V - TO-247AC 3Pin(s) 175°C 600A - -
SIZ998DT-T1-GE3
SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm

2802799

Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm

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- - - - - 8Pin(s) 150°C - - TrenchFET Series
IRF9Z30PBF
IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.093 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage

2547298

Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.093 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage

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- - - - - 3Pin(s) 150°C - - -
VS-30CTQ060-1-M3
VS-30CTQ060-1-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-262AA, 3 Pin(s), 820 mV

2901064

Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-262AA, 3 Pin(s), 820 mV

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60V 30A 820mV - TO-262AA 3Pin(s) 150°C 1kA Durchsteckmontage -
SB150-E3/54
SB150-E3/54 - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 1 A, Einfach, DO-204AL, 2 Pin(s), 650 mV

2889212

Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 1 A, Einfach, DO-204AL, 2 Pin(s), 650 mV

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50V 1A 650mV - DO-204AL 2Pin(s) 150°C 50A Durchsteckmontage -
GBU4J-E3/51
GBU4J-E3/51 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V

9549455

Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V

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600V 4A 1V - - 4Pin(s) 150°C 150A - GBU4J
SIS407DN-T1-GE3
SIS407DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0082 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage

1859001

Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0082 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage

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IRFD220PBF
IRFD220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.3 A, 0.8 ohm, DIP, Durchsteckmontage

9102388

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.3 A, 0.8 ohm, DIP, Durchsteckmontage

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- - - - - 4Pin(s) 150°C - - -
UF5407-E3/73
UF5407-E3/73 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 150 A

9551727

Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 150 A

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800V 3A 1.7V - DO-201AD - 150°C 150A - UF540
SI5908DC-T1-E3
SI5908DC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.032 ohm

2335337

Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.032 ohm

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IRFR210PBF
IRFR210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage

8649685

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage

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- - - - - 3Pin(s) 150°C - - -
VB30100S-E3/8W
VB30100S-E3/8W - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 910 mV

2335180

Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 910 mV

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100V 30A 910mV - TO-263AB 3Pin(s) 150°C 250A Oberflächenmontage Trench MOS Series
ES07B-GS18
ES07B-GS18 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 1.2 A, 980 mV, 25 ns, 30 A

1612357

Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 1.2 A, 980 mV, 25 ns, 30 A

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100V 1.2A 980mV - DO-219AB 2Pin(s) 150°C 30A Oberflächenmontage ES07B
RMB4S-E3/45
RMB4S-E3/45 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 500 mA, TO-269AA, 4 Pin(s), 1.25 V

1336504

Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 500 mA, TO-269AA, 4 Pin(s), 1.25 V

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1+ € 0,761 10+ € 0,634 100+ € 0,479 500+ € 0,419 1000+ € 0,36 2500+ € 0,349 5000+ € 0,336 10000+ € 0,333 Weitere Preise …

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400V 500mA 1.25V - - 4Pin(s) 150°C 30A - RMB4S
IRL520PBF
IRL520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage

9102744

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage

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- - - - - 3Pin(s) 175°C - - -
SIHG30N60E-GE3
SIHG30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage

2364082

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage

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- - - - - 3Pin(s) 150°C - - -
IRFU220PBF
IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage

8650039

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage

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- - - - - 3Pin(s) 150°C - - -
S07J-GS08
S07J-GS08 - Diode mit Standard-Erholzeit, Schaltrelais, 600 V, 700 mA, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 25 A

1617736

Diode mit Standard-Erholzeit, Schaltrelais, 600 V, 700 mA, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 25 A

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600V 700mA 1.1V - DO-219AB 2Pin(s) 150°C 25A - S07J
VS-3EJH02HM3/6B
VS-3EJH02HM3/6B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, AEC-Q101, 200 V, 3 A, Einfach, 930 mV, 30 ns, 85 A

2471187

Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, AEC-Q101, 200 V, 3 A, Einfach, 930 mV, 30 ns, 85 A

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200V 3A 930mV - DO-221AC - 175°C 85A - FRED Pt® SlimSMA
SIRA14DP-T1-GE3
SIRA14DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.00425 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage

2283684

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.00425 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage

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SQD30N05-20L_GE3
SQD30N05-20L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage

1869909

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage

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