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FZT705
Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 120 V, 2 W, 2 A, SOT-223, 3 Pin(s)
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerFZT705
Bestellnummer9526382RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo120V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.120V
Dauerkollektorstrom2A
Verlustleistung Pd2W
Verlustleistung2W
DC-Kollektorstrom2A
Bauform - HF-TransistorSOT-223
Bauform - TransistorSOT-223
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE3000hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Übergangsfrequenz160MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.3000hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The FZT705 is a -120V Silicon PNP Planar Medium Power Darlington Transistor with 2W power dissipation.
- Guaranteed hFE specified up to 2A
- Surface mount transistor
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
120V
Verlustleistung Pd
2W
DC-Kollektorstrom
2A
Bauform - Transistor
SOT-223
DC-Stromverstärkung hFE
3000hFE
Übergangsfrequenz
160MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
120V
Dauerkollektorstrom
2A
Verlustleistung
2W
Bauform - HF-Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
3000hFE
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000559
Produktnachverfolgung