Mit der stetig wachsenden Zahl von Elektrofahrzeugen auf der Straße und dem Druck der Regierungen, die Emissionen von Fahrzeugen bis spätestens 2050 auf Null zu senken, besteht ein großer Bedarf an effizienteren Ladelösungen.

Wie verschiedene Verbraucherstudien zeigen, hängt die Akzeptanz der Elektromobilität weitgehend von der Verfügbarkeit und Dauer des Ladevorgangs ab. Leistungsstarke DC-Ladestationen sind die Antwort auf diese Marktanforderungen. Bereits heute kann ein typisches Elektrofahrzeug etwa 80 % seiner Batteriekapazität in weniger als 10 Minuten aufladen. Dies ist vergleichbar mit der Betankung eines konventionellen Autos mit einem Verbrennungsmotor.

Als Marktführer in der Leistungselektronik unterstützt Sie Infineon bei der Realisierung energieeffizienter DC-Schnellladekonzepte. Profitieren Sie von einem der branchenweit umfangreichsten, sofort umsetzbaren Produkt- und Design-Portfolios aus einer Hand, das die gesamte Bandbreite von Leistungsumwandlung, Mikrocontrollern, Sicherheit, Hilfsstromversorgung und Kommunikation abdeckt.

Fortschrittliche Lösungen von der Steuerung über die Erfassung bis hin zur Sicherheit und Konnektivität
der nächsten Ebene

Für DC-Ladekonzepte für Elektrofahrzeuge bis 150 kW bieten die diskreten Produkte von Infineon das beste Preis-/Leistungsverhältnis. Dazu gehören die MOSFETs (600 V) der Produktfamilien CoolMOS™ SJ P7 und CFD7, TRENCHSTOP™ 5-IGBTs (650 V) und CoolSiC™-MOSFETs (1200 V). Die unvergleichlichen Vorteile unserer CoolMOS™- und CoolSiC™-MOSFETs sind der Hochfrequenzbetrieb, die hohe Leistungsdichte und die reduzierten Schaltverluste, mit denen Sie hohe Wirkungsgrade in jedem Batterieladesystem erzielen können. Unser Portfolio an Hochspannungsschaltern wird ergänzt durch CoolSiC™ Schottky-Dioden (650 V und 1200 V). Da jeder Schalter einen Treiber benötigt und jeder Treiber gesteuert werden muss, bieten wir auch den passenden EiceDRIVER™-Gate-Treiber sowie XMC™- und AURIX™-Mikrocontroller für EV-Ladekonzepte an. OPTIGA™-Produkte vervollständigen das Portfolio und gewährleisten Datenschutz und Sicherheit. Ladegeräte im Leistungsbereich über 50 kW werden in der Regel mit IGBTs, CoolSiC™-MOSFETs und Dioden-Leistungsmodulen gebaut, z. B. CoolSiC™ Easy-Modulen, IGBT EconoPACK™ und den IGBTs der Produktfamilie EconoDUAL™. Ladestapel mit einer Kapazität von mehr als 100 kW werden gewöhnlich in einem modularen Ansatz mit gestapelten Untereinheiten gebaut. Diese Untereinheiten haben bereits heute eine Leistung von jeweils 20-50 kW erreicht und werden in zukünftigen Designs darüber hinausgehen.

CoolSiC™-MOSFET-Modul (1200 V)

Das EasyDUAL™ 2B-Halbbrückenmodul (1200 V, 6 mΩ) mit CoolSiC™-MOSFET, NTC-Temperatursensor und PressFIT-Kontakttechnologie ermöglicht höchste Effizienz für reduzierten Kühlaufwand, höheren Frequenzbetrieb und erhöhte Leistungsdichte.

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CoolSiC™-SiC-Trench-MOSFET (1200 V)

Der CoolSiC™-SiC-MOSFET (1200 V, 30 mΩ) in TO247-4 ist ideal für DC/DC-Wandler oder DC/AC-Wechselrichter. Er bietet im Vergleich zu herkömmlichen, auf Silizium (Si) basierenden Schaltern die niedrigsten Gate-Ladung und die geringsten Geräte-Kapazitätsniveaus, keine Sperrerholverluste der internen kommutierungssicheren Body-Diode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Durchgangscharakteristik. 

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CoolSiC™-MOSFET (650 V)

Der CoolSiC™-MOSFET (650 V) IMW65R048M1H ist optimiert, um keine Kompromisse einzugehen und um sowohl die geringsten Verluste in der Anwendung als auch die höchste Zuverlässigkeit beim Betrieb zu erzielen. Dieser SiC-MOSFET wird in einem TO247 3-poligen Gehäuse mit einer kostengünstigen Leistung geliefert, er reduziert die Komplexität und ermöglicht eine kleinere Systemgröße.

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EiceDRIVER™ Compact

Jeder Schalter erfordert einen Treiber, wobei der richtige Treiber den Unterschied macht. Die isolierte Treiberfamilie EiceDRIVER™ Compact (z. B. 1ED31xx) ist mit Miller-Klemme oder separater Ausgangsfunktion erhältlich. Sie bietet verstärkte Isolationsoptionen (VDE-11 und UL 1577) und eine hohe Strombelastbarkeit (14 A/9 A).

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AURIX™ TriCore™-Mikrocontroller (32 Bit)

Die AURIX™-Mikrocontroller der Produktfamilie TC3xx mit der Hochleistungsarchitektur mit bis zu sechs Cores und ihren erweiterten Funktionen für Konnektivität, Sicherheit und funktionale Sicherheit eignen sich ideal für zahlreiche Kfz- und Industrieanwendungen wie integrierte Ladegeräte und DC/DC-Wandler.

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XENSIV™-Sensoren

Die Stromsensoren von Infineon ermöglichen eine präzise und stabile Strommessung bis 120 A. Wir bieten acht verschiedene Derivate – 25 A, 50 A, 75 A sowie 120 A –, die sowohl in Standard- als auch UL-zertifizierten Versionen verfügbar sind. Die Sensoren sind für den Einsatz in industriellen Hochspannungsanwendungen wie elektrischen Antrieben, Photovoltaik-Wechselrichtern, Stromversorgungen oder Batteriemanagementsystemen ausgelegt.

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PLATINEN

REF-DAB11KIZSICSYS für CoolSiC™-MOSFET

REF-DAB11KIZSICSYS ist eine Resonanz-LLC-DC/DC-Wandlerplatine, die bis 11 kW bei einer Ausgangsspannung von 800 V liefern kann. Mit ihrer hocheffizienten bidirektionalen Leistungsflussfähigkeit und ihren weichen Schalteigenschaften ist sie der ideale Baustein, um die schnelle Erstellung von Prototypen jedes EV-Ladegeräts und ESS-Projekts zu beschleunigen. Dieses Referenzdesign bietet einen vollständigen Satz von Designdateien, der auf vollständig charakterisierter Hardware basiert (noch nicht zum Verkauf). Dies beweist, dass CoolSiC™-MOSFETs wie der IMZ120R030M1H, der vom 1EDC20I12AH angetrieben wird, die perfekte Wahl ist, um kostengünstige Leistungsdichte mit höchster Zuverlässigkeit zu kombinieren.

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SYSTEMSCHEMA: EV-Ladegerät (50 bis 350 kW)