“CoolGaN ist die beste Wahl. Warum?”

Wenn Infineon für Sie der führende Anbieter hochwertiger Power-MOSFETs ist, so liegen Sie absolut richtig!

Das ist jedoch nur ein Teil des Gesamtkonzepts. Infineon bietet zudem für sein gesamtes Sortiment von Hochspannungsschaltern perfekt abgestimmte Gate-Treiber-ICs mit allen Arten von Konfigurationen, Spannungsklassen, Isolationsstufen, Schutzfunktionen und Gehäusevarianten an. So profitieren Sie als Kunde von schnelleren Schaltvorgängen und einer optimierten Gesamtsystemleistung.

Die Gate-Treiber-ICs von Infineon basieren auf dem umfassenden Anwendungs- und technischen Know-how des Unternehmens und eignen sich somit für eine Vielzahl von Anwendungen.

Angesichts der Entwicklung zu einer höheren Leistungsdichte im High-Power-SMPS-Markt werden schnellere Schalter benötigt. Gleichzeitig müssen Wege gefunden werden, um Designherausforderungen wie parasitäre Elemente, Platinenbeschränkungen und mögliche thermische Probleme anzugehen. Mit den Superjunction-MOSFETs der Produktreihe CoolMOS™ (Silizium-Technologie) und den neuen Produkten der Reihe CoolGaN™ (Galliumnitrid-Technologie) bietet Infineon Lösungen zur Bewältigung genau dieser Herausforderungen.

Kombinieren Sie diese Technologien und profitieren Sie von dem Komfort, alles aus einer Hand zu bekommen!

Schalter und Treiber basierend auf Galliumnitrid-Technologie

CoolGaN™ 600-V-E-Mode-HEMTs – Höchste Effizienz und Dichte in SMPS

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Mit CoolGaN™ präsentiert Infineon ein GaN-Portfolio sogenannter Enhancement Mode High Electron Mobility Transistoren (E-Mode-HEMTs) mit branchenführender Feldleistung, die robuste und zuverlässige Systeme zu attraktiven Gesamtsystemkosten ermöglichen. Die Transistoren der Produktreihe CoolGaN™ basieren auf der zuverlässigsten GaN-Technologie und sind maßgeschneidert, um die höchsten erhältlichen Effizienz- und Dichtewerte für Schaltnetzteile zu erreichen. Der anwendungsorientierte Qualifizierungsansatz geht über den anderer GaN-Produkte auf dem Markt hinaus.

Hochspannungs-GaN-Gate-Treiber-ICs der Produktreihe GaN EiceDRIVER™ – Galvanisch getrennte Einkanal-Gate-Treiber für Enhancement Mode GaN HEMTs

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Das neue Schalter-Portfolio der Produktreihe GoolGaN™ von Infineon ist dank des perfekt abgestimmten Portfolios von Gate-Treiber-ICs sehr benutzerfreundlich. Mit der Einführung der Produktreihe GaN EiceDRIVER™ erweitert Infineon sein Angebot an einkanaligen, galvanisch getrennten Gate-Treiber-ICs. Die neuen Bauelemente mit hohem Gate-Strom für schnelles Einschalten und robuster Gate-Drive-Topologie wurden entwickelt, um die Leistung von Enhancement Mode GaN HEMTs mit nicht isoliertem Gate (Dioden-Eingangscharakteristik) und niedriger Schwellenspannung zu optimieren. Dadurch konnte die Komplexität der Treiber deutlich reduziert werden (mittlerer Aufwand für den Design-In-Prozess), da keine kundenspezifischen Treiber mehr benötigt werden.

Schalter und Treiber basierend auf Silizium-Technologie

CoolMOS™ Kelvin-Source-Superjunction-MOSFETs

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Mit den SJ-MOSFET-Lösungen der Produktreihe CoolMOS™ setzt Infineon neue Maßstäbe in Sachen Energieeffizienz, Leistungsdichte und Benutzerfreundlichkeit und zeichnet sich durch führende Werte in Bezug auf Leitungs-, Schalt- und Treiberverluste aus.

Das breiteste Portfolio siliziumbasierter Superjunction-MOSFETs auf dem Markt besticht durch breite RDS(on)-Granularität, einen erstklassigen RDS(on)/Baustein, höchste Effizienz bei optimiertem Preis-Leistungs-Verhältnis und niedrigen EOSS, Qg.

600-V-SJ-MOSFET der Produktreihe CoolMOS™ G7 und Schottky-Diode der Produktreihe CoolSiC™ G6 im Doppel-DPAK- (DDPAK-)Gehäuse

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Mit dem 600-V-SJ-MOSFET der Produktreihe CoolMOS™ G7 und der 650-V-Schottky-Diode der Produktreihe CoolSiC™ G6 – welche beide in einem DDPAK-Gehäuse erhältlich sind – bietet Infineon eine Systemlösung für hochstromfähige Hartschalt-Topologien wie PFC und eine hochwertige und effiziente Lösung für LLC-Topologien. Durch Kombination von DDPAK-Gehäusen mit der Produktreihe von Einkanal-Low-Side-Gate-Treibern von Infineon mit echt differenziellen Eingängen (1EDN TDI) sind optimierte Systemlösungen für Hochleistungsdesigns möglich.

Nicht isolierte Einkanal-Low-Side-Gate-Treiber-ICs der Baureihen EiceDRIVER™ 1EDN7550 und 1EDN8550 mit echt differenziellen Eingängen

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Die neuen nicht isolierten Einkanal-Low-Side-Gate-Treiber-ICs der Baureihen EiceDRIVER™ 1EDN7550 und 1EDN8550 von Infineon verfügen über echt differenzielle Eingänge. Somit eignen sie sich ideal für SMPS, bei denen Masse-Verschiebungen auftreten können. Charakteristisch ist, dass ihre Steuersignaleingänge weitgehend unabhängig vom Massepotenzial sind. Lediglich die Spannungsdifferenz zwischen den Eingangskontakten ist relevant. Dies verhindert ein falsches Auslösen von Leistungs-MOSFETs.