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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFR360FH6327XTSA1
Bestellnummer2480682RL
Auch bekannt alsBFR 360F H6327, SP000750428
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 500+ | € 0,109 |
| 1000+ | € 0,108 |
| 5000+ | € 0,107 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFR360FH6327XTSA1
Bestellnummer2480682RL
Auch bekannt alsBFR 360F H6327, SP000750428
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.6V
Übergangsfrequenz14GHz
Verlustleistung210mW
Dauerkollektorstrom35mA
Bauform - TransistorTSFP
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.90hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BFR 360F H6327 is a NPN Silicon RF Transistor for low-noise amplifier for low current applications. The device is suitable for amplifier and oscillator applications in RF front-end. The collector design of the device supports 5V supply voltage.
- Low noise figure
Anwendungen
Industrie, Wireless, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
14GHz
Dauerkollektorstrom
35mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
6V
Verlustleistung
210mW
Bauform - Transistor
TSFP
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
90hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
Produktnachverfolgung