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BCV28,115
Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 30 V, 1.3 W, 500 mA, SC-62, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 0,371 |
| 500+ | € 0,288 |
| 1000+ | € 0,185 |
| 5000+ | € 0,177 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBCV28,115
Bestellnummer3439622RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo30V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.30V
Dauerkollektorstrom500mA
Verlustleistung Pd1.3W
DC-Kollektorstrom500mA
Verlustleistung1.3W
Bauform - HF-TransistorSC-62
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE4000hFE
TransistormontageOberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.4000hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
30V
Verlustleistung Pd
1.3W
Verlustleistung
1.3W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
30V
Dauerkollektorstrom
500mA
DC-Kollektorstrom
500mA
Bauform - HF-Transistor
SC-62
DC-Stromverstärkung hFE
4000hFE
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
4000hFE
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000091