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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBST62,115
Bestellnummer1757932RL
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo80V
Verlustleistung Pd1.3W
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung1.3W
DC-Kollektorstrom1A
Bauform - HF-TransistorSOT-89
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE2000hFE
TransistormontageOberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.2000hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktbeschreibung
The BST62,115 is a PNP Darlington Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use with the industrial switching applications such as print hammer, solenoid, relay and lamp driving. It offers collector pad for good heat transfer.
- High current
- Low voltage
- Integrated diode and resistor
- NPN complements are BST50, BST51 and BST52
- BS3 Marking code
Anwendungen
Industrie, Unterhaltungselektronik, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
80V
Dauerkollektorstrom
1A
DC-Kollektorstrom
1A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung Pd
1.3W
Verlustleistung
1.3W
Bauform - HF-Transistor
SOT-89
DC-Stromverstärkung hFE
2000hFE
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
2000hFE
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000079