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AFT05MS006NT1
HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
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| Menge | |
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| 100+ | € 2,920 |
| 500+ | € 2,710 |
| 1000+ | € 2,620 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNXP
HerstellerteilenummerAFT05MS006NT1
Bestellnummer2776258
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds30VDC
Dauer-Drainstrom Id-
Verlustleistung128W
Betriebsfrequenz, min.136MHz
Betriebsfrequenz, max.941MHz
Bauform - TransistorPLD-1.5W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
- RF power LDMOS transistor
- Characterized for operation from 136 to 941MHz
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection
- Integrated stability enhancements
- Exceptional thermal performance
- High ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFET
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
30VDC
Verlustleistung
128W
Betriebsfrequenz, max.
941MHz
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dauer-Drainstrom Id
-
Betriebsfrequenz, min.
136MHz
Bauform - Transistor
PLD-1.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003
Produktnachverfolgung