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4N35M
Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 6 Pin(s), 60 mA, 7.5 kV, 100 %
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
The 4N35-M is a through hole general purpose phototransistor optocoupler in 6 pin DIP package. This optocoupler consist of gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon photo transistor. The device is mostly suitable for power supply regulators, digital logic inputs and microprocessor inputs.
- Minimum current transfer ratio of 100% at IF=10A, Vce=10V
- Isolation voltage of 4.17KVAC
- Forward current (If) of 60mA
- Single channel
- UL 1577 and DIN-EN IEC60747-5-5 approved
- Operating temperature range from -40°C to 100°C
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
1 Kanal
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Isolationsspannung
7.5kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
30V
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Optokoppler
DIP
Durchlassstrom If, max.
60mA
CTR, min.
100%
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002177