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FJB102TM
Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFJB102TM
Bestellnummer2453344
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd80W
DC-Kollektorstrom8A
Bauform - HF-TransistorTO-263AB
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE200hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The FJB102TM is a NPN high voltage power Darlington Transistor offers low collector-emitter saturation voltage.
- High DC current gain (1000 hFE @ 4V VCE, 3A minimum IC)
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
80W
Bauform - HF-Transistor
TO-263AB
DC-Stromverstärkung hFE
200hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
DC-Kollektorstrom
8A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001312
Produktnachverfolgung