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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJD45H11T4G
Bestellnummer2317580
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauerkollektorstrom8A
Verlustleistung20W
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz90MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.40hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell MJD45H11T4G handelt es sich um einen bipolaren 8A-PNP-Leistungstransistor, der für universelle Leistungs- und Schaltausgangs- oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern entwickelt wurde.
- Ähnelt elektrisch der gängigen Produktreihe D44H/D45H
- Hohe Schaltfrequenzen
- Komplementäre Paare vereinfachen Designs
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik, Signalverarbeitung
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
8A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
40hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
20W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
90MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MJD45H11T4G
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00068
Produktnachverfolgung