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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerRB521S30T1G
Bestellnummer2317433
ProduktpaletteRB521
Technisches Datenblatt
DiodenkonfigurationEinfach
Periodische Spitzensperrspannung30V
Durchschnittlicher Durchlassstrom200mA
Durchlassspannung, max.500mV
Durchlassstoßstrom1A
Betriebstemperatur, max.125°C
Bauform - DiodeSOD-523
Anzahl der Pins2Pin(s)
Sperrverzögerungszeit-
DiodenmontageOberflächenmontage
ProduktpaletteRB521
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell RB521S30T1G handelt es sich um eine Schottky-Barrier-Diode für High-Speed-Schaltanwendungen, Schaltungsschutz und Spannungsbegrenzung. Durch die äußerst niedrige Durchlassspannung werden Leitungsverluste reduziert. Das Miniatur-SMD-Gehäuse eignet sich hervorragend für tragbare Anwendungen mit beengten Platzverhältnissen.
- Äußerst hohe Schaltgeschwindigkeit
- Äußerst niedrige Durchlassspannung, max.: 0.5V bei IF = 200mA
- Niedriger Rückstrom
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei
Anwendungen
Tragbare Geräte
Technische Spezifikationen
Diodenkonfiguration
Einfach
Durchschnittlicher Durchlassstrom
200mA
Durchlassstoßstrom
1A
Bauform - Diode
SOD-523
Sperrverzögerungszeit
-
Produktpalette
RB521
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Periodische Spitzensperrspannung
30V
Durchlassspannung, max.
500mV
Betriebstemperatur, max.
125°C
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (2)
Alternativen für RB521S30T1G
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006