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FGD3N60LSDTM
IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
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| Menge | |
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| 10+ | € 0,574 |
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| 500+ | € 0,403 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFGD3N60LSDTM
Bestellnummer3368680
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom6A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.8V
Verlustleistung40W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.600V
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
6A
Verlustleistung
40W
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.8V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
600V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (4)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung