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SCT055TO65G3
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT055TO65G3
Bestellnummer4632682
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCT055TO65G3
Bestellnummer4632682
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id30A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.072ohm
Bauform - TransistorTO-LL
Anzahl der Pins8Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.2V
Verlustleistung234W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.072ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.2V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-LL
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
234W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.697
Produktnachverfolgung