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SGT080R70ILB
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSGT080R70ILB
Bestellnummer4785163
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 4,960 |
| 10+ | € 4,060 |
| 100+ | € 3,350 |
| 500+ | € 3,120 |
| 1000+ | € 2,940 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 4,96 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSGT080R70ILB
Bestellnummer4785163
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds700V
Dauer-Drainstrom Id29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Gate-Ladung, typ.6.2nC
Bauform - TransistorPowerFLAT HV
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
700V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Bauform - Transistor
PowerFLAT HV
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
29A
Gate-Ladung, typ.
6.2nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung