Energieeffizienz steigern und Platz auf der Leiterplatte sparen mit Leistungs-MOSFETs von Vishay

Leistungs-MOSFETs von Vishay verbessert die Energieeffizienz von Power-Management-Designs bei einer Vielzahl von Endprodukten und reduziert gleichzeitig den Platzbedarf. Die Vishay Siliconix MOSFET-Produktreihe umfasst eine breite Palette fortschrittlicher Technologien für niedrige, mittlere und hohe Spannungen sowie mehr als 40 Gehäusetypen. Diese Hochleistungsgeräte helfen Entwicklern, Energieeffizienz- und Platznutzungsziele zu erreichen, indem sie Leistungsverluste reduzieren, die Leistungsdichte erhöhen, die Anzahl der Komponenten verringern und das Wärmemanagementdesign optimieren.

Innovative Pakete wie die thermisch verbesserte PowerPAK-Serie unterstützen die Layoutoptimierung, während aufeinanderfolgende Generationen von Silizium alle Vorteile der technologischen Führungsposition bieten, wie z. B. branchenweit niedrige RDS-QSS-Leistungsmerkmale für Gleichspannungswandleranwendungen.

Dank der Partnerschaft mit EBV können Sie jetzt nach Ihren Wünschen einkaufen. Egal ob Sie eine große oder kleine Bestellmenge benötigen, wir können Ihre Geschäftsanforderungen erfüllen. Unsere Experten bei EBV und Farnell stehen Ihnen zur Verfügung, um Ihnen zu helfen. Eine Partnerschaft mit uns ist daher wirtschaftlich sinnvoll.

MOSFETs-Produktreihe

TrenchFET® IV mit führendem Rds™Coss FOM mit Mittelspannung

Niedrige RDs(on) und branchenweit beste RDs™Coss FOM erhöhen die Effizienz von Schaltnetzteilen

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Führende 40 V- bis 250 V-Geräte in PowerPAK®-Gehäusen

Die neuesten Einzelkonfigurationsprodukte der PowerPAK®-Reihe

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MOSFETs in PowerPAK ® SO-8L

Optimiert für Stromversorger, Adapter, Motortreibersteuerung und industrielle Anwendungen

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PowerPAK®-Pakete mit doppelter Kühlung

Die neuesten 40 V bis 250 V MOSFETs im PowerPAK® SO-8 mit doppelter Kühlung

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Führend in der Minimierung und Integration mit 3x3-MOSFETs

Gleiche oder niedrigere RDs(on) als Geräte in 6 x 5 mm2-Packungen

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Neue Entwicklung: Gen V 80 V, 100 V und 150 V MOSFETs

SiR5-Serie in PowerPACK® SO-8

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Zweifacher PowerPAIR®-N-Kanal-MOSFET mit gemeinsamen Drain

Für bidirektionales Schalten in 24-V-Systemen, best in class RDs(on)

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Die neuesten Produkte für industrielle Anwendungen

Robuste Geräte in Transistor-Outline-Gehäuse

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Empfohlene Produkte

Zweifacher PowerPAIR®-N-Kanal-MOSFET der Baureihe SiZ240DT

Vishay führt eine neue Halbbrücken-Leistungsstufe mit zweifachem 40-V-N-Kanal-MOSFET ein, die eine höhere Leistungsdichte und mehr Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Haushaltselektrogeräte, Industrie, Medizintechnik und Telekommunikation liefert.

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SISS94DN 200 V 75 mΩ in PowerPAK® 1212-8S

Bietet einen erstklassigen RDS(on), der bis zu 20 % niedriger als beim nächstbesten Produkt in ähnlichen Gehäusen ist, und einen gleichhohen oder niedrigeren RDS(on) als bei vergleichbaren Bausteinen in 6 x 5 mm²-Gehäusen, welche derzeit auf dem Markt sind.

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N-Kanal-MOSFET für 45 V (D-S) der Baureihe SIR608DP

Die 45-V-TrenchFET® Gen IV-Produkte von Vishay erreichen eine optimale Balance zwischen Leistungs-FOMs und Sicherheitsabstand, womit ein um 12,5 % größerer Sicherheitsabstand als bei 40-V-MOSFETs mit ähnlichen RDS(on)-Eigenschaften erreicht wird.

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