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VEMT3700F-GS08
Fototransistor, Silizium, NPN, 940 nm, 120 °, 100 mW, 2 Pin(s), PLCC
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Der VEMT3700F-GS08 ist ein High-Speed-Silizium-NPN-Fototransistor der Baureihe VEMT3700F in Epitaxial-Planar-Technologie, der in einem Miniatur-PLCC-2-Gehäuse untergebracht ist. Der integrierte Tageslicht-Sperrfilter ist auf 950nm-IR-Emitter abgestimmt. Typische Anwendungen umfassen: Lichtschranken, Miniatur-Schalter, Zähler, Encoder, Lagesensoren.
- SMD-Bauform, hoher Strahlungsempfindlichkeit
- Kurze Ansprechzeit, Gehäusekerbe zeigt Collector an
- Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: typ. 940nm (Tamb = 25°C)
- Tageslicht-Sperrfilter ist auf Emitter mit 870nm bis 950nm abgestimmt
- Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung: min. 70V (IC = 1mA)
- Anstiegszeit, Abfallzeit: typ. 6μs (VS = 5V, IC = 1mA, λ = 950nm, RL = 1 kOhm)
- Grenzfrequenz: typ. 180kHz (VS = 5V, IC = 2mA, RL = 100 Ohm)
- Abmessungen (L x B x H): 3.3mm x 2.8mm x 1.5mm
- Betriebstemperatur: -40°C bis +100°C
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
940nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
PLCC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Abstrahlwinkel
120°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000095
Produktnachverfolgung