NVSRAM

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M48Z12-70PC1
M48Z12-70PC1 - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 16kB, 2K x 8 Bit, 200ns Lesen/Schreiben, Bytewide, 4.5V-5.5V, DIP-24

2807112

Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 16kB, 2K x 8 Bit, 200ns Lesen/Schreiben, Bytewide, 4.5V-5.5V, DIP-24

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16Kbit 2K x 8 Bit 200ns 200ns 4.5V 5.5V DIP 24Pin(s) Bytewide 0°C 70°C -
DS1225AD-150IND+
DS1225AD-150IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 64kB, 8K x 8 Bit, 150ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28

2798717

Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 64kB, 8K x 8 Bit, 150ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28

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64Kbit 8K x 8 Bit 150ns 150ns 4.5V 5.5V EDIP 28Pin(s) Parallel -40°C 85°C -
DS1245AB-70IND+
DS1245AB-70IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 1MB, 128K x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-32

2909701

Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 1MB, 128K x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-32

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1Mbit 128K x 8 Bit 70ns 70ns 4.75V 5.25V EDIP 32Pin(s) Parallel -40°C 85°C -
CY14V101QS-SE108XI
CY14V101QS-SE108XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Lesen/Schreiben, QSPI, 2.7V-3.6V, SOIC-16

2749797

Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Lesen/Schreiben, QSPI, 2.7V-3.6V, SOIC-16

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1Mbit 128K x 8 Bit 10ns 10ns 2.7V 3.6V SOIC 16Pin(s) QSPI -40°C 85°C -
DS1225AB-70IND+
DS1225AB-70IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 64kB, 8K x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28

2798716

Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 64kB, 8K x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28

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64Kbit 8K x 8 Bit 70ns 70ns 4.75V 5.25V EDIP 28Pin(s) Parallel -40°C 85°C -
CY14B108N-BA25XI
CY14B108N-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 8MB, 512K x 16 Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, FBGA-48

2772934

Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 8MB, 512K x 16 Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, FBGA-48

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8Mbit 512K x 16 Bit 25ns 25ns 2.7V 3.6V FBGA 48Pin(s) Parallel -40°C 85°C -
CY14B256LA-SP45XI
CY14B256LA-SP45XI - NVSRAM, 256KB, -40 BIS 85°C

3018606

NVSRAM, 256KB, -40 BIS 85°C

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256Kbit 32K x 8 Bit 45ns 45ns 2.7V 3.6V SSOP 48Pin(s) Parallel -40°C 85°C -
CY14B101Q2A-SXI
CY14B101Q2A-SXI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 128K x 8 Bit, 45ns Lesen/Schreiben, SPI, 2.7V bis 3.6V, SOIC-8

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Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 128K x 8 Bit, 45ns Lesen/Schreiben, SPI, 2.7V bis 3.6V, SOIC-8

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1Mbit 128K x 8 Bit 45ns 45ns 2.7V 3.6V SOIC 8Pin(s) SPI -40°C 85°C -
CY14B101NA-ZS45XI
CY14B101NA-ZS45XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 64Kx16Bit, 45ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-44

2772929

Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 64Kx16Bit, 45ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-44

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1Mbit 64K x 16 Bit 45ns 45ns 2.7V 3.6V TSOP-II 44Pin(s) Parallel -40°C 85°C -
CY14V101QS-SE108XQ
CY14V101QS-SE108XQ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Lesen/Schreiben, QSPI, 2.7V-3.6V, SOIC-16

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Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Lesen/Schreiben, QSPI, 2.7V-3.6V, SOIC-16

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1Mbit 128K x 8 Bit 10ns 10ns 2.7V 3.6V SOIC 16Pin(s) QSPI -40°C 105°C -
DS1225AD-70+
DS1225AD-70+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 64kB, 8K x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28

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Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 64kB, 8K x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28

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64Kbit 8K x 8 Bit 70ns 70ns 4.5V 5.5V EDIP 28Pin(s) Parallel 0°C 70°C -
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CY14V101PS-SF108XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 128Kx8Bit, 10ns Lesen/Schreiben, serielle SPI, 2.7-3.6V, SOIC-16

2749796

Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 128Kx8Bit, 10ns Lesen/Schreiben, serielle SPI, 2.7-3.6V, SOIC-16

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1Mbit 128K x 8 Bit 10ns 10ns 2.7V 3.6V SOIC 16Pin(s) Seriell SPI -40°C 85°C -
DS1225AB-70+
DS1225AB-70+ - NONVOLATILE SRAM (NVSRAM)

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NONVOLATILE SRAM (NVSRAM)

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CY14B104NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44

2772933

Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44

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4Mbit 256K x 16 Bit 25ns 25ns 2.7V 3.6V TSOP-II 44Pin(s) Parallel -40°C 85°C -
CY14B104LA-ZS25XI
CY14B104LA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 512Kx8Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-44

2772930

Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 512Kx8Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-44

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4Mbit 512K x 8 Bit 25ns 25ns 2.7V 3.6V TSOP-II 44Pin(s) Parallel -40°C 85°C -
CY14B108N-ZSP25XI
CY14B108N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 8MB, 512Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-54

2772935

Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 8MB, 512Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-54

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8Mbit 512K x 16 Bit 25ns 25ns 2.7V 3.6V TSOP-II 54Pin(s) Parallel -40°C 85°C -
DS1270Y-70IND#
DS1270Y-70IND# - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 16MB, 2M x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.5V-5.5V, EDIP-36

2798719

Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 16MB, 2M x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.5V-5.5V, EDIP-36

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16Mbit 2M x 8 Bit 70ns 70ns 4.5V 5.5V EDIP 36Pin(s) Parallel -40°C 85°C -
DS1225AB-200IND+
DS1225AB-200IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 64kB, 8K x 8 Bit, 200ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28

2909702

Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 64kB, 8K x 8 Bit, 200ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28

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64Kbit 8K x 8 Bit 200ns 200ns 4.75V 5.25V EDIP 28Pin(s) Parallel -40°C 85°C -
DS1230AB-120IND+
DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28

2909692

Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28

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256Kbit 32K x 8 Bit 120ns 120ns 4.75V 5.25V EDIP 28Pin(s) Parallel -40°C 85°C -
CY14B108N-ZSP45XI
CY14B108N-ZSP45XI - NVSRAM, 8MB, -40 BIS 85°C

3018603

NVSRAM, 8MB, -40 BIS 85°C

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8Mbit 512K x 16 Bit 25ns 25ns 2.7V 3.6V TSOP-II 54Pin(s) Parallel -40°C 85°C -
M48Z58Y-70MH1F
M48Z58Y-70MH1F - NVSRAM, 64KB, 0 BIS 70°C

3367275

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CY14B101NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 64Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-44

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Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 64Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-44

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CY14V101QS-SF108XQ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Lesen/Schreiben, QSPI, 2.7V-3.6V, SOIC-16

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Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Lesen/Schreiben, QSPI, 2.7V-3.6V, SOIC-16

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1Mbit 128K x 8 Bit 10ns 10ns 2.7V 3.6V SOIC 16Pin(s) QSPI -40°C 105°C -
CY14B104NA-BA45XI
CY14B104NA-BA45XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256K x 16 Bit, 45ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, FBGA-48

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Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256K x 16 Bit, 45ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, FBGA-48

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CY14B256KA-SP45XI
CY14B256KA-SP45XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32K x 8 Bit, 45ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, SSOP-48

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Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32K x 8 Bit, 45ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, SSOP-48

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