Leistungsstarke Möglichkeiten mit SiCs von Microchip

Die Produktlinie der SiC-Leistungs-MOSFETs von Microchip erhöht die Leistung gegenüber Silizium-MOSFET- und Silizium-IGBT-Lösungen und senkt gleichzeitig die Gesamtbetriebskosten für Hochspannungsanwendungen.

Die SiC-Lösungen von Microchip sind auf eine hohe Leistung ausgelegt, um die Systemeffizienz zu optimieren und Systemgewicht und -größe zu minimieren. Die bewährte SiC-Zuverlässigkeit von Microchip stellt auch sicher, dass keine Leistungsverschlechterung über die Lebensdauer der Endgeräte auftritt.

Beschreibung

• MOSFET, N-KANAL, 1,2 KV, 103 A, TO-247
• MOSFET, N-KANAL, 1,2 KV, 103 A, TO-247
• MOSFET, N-KANAL, 1,2 KV, 37 A, TO-247
• MOSFET, N-KANAL, 1,2 KV, 37 A, TO-247
• MOSFET, N-KANAL, 1,2 KV, 66 A, TO-247
• MOSFET, N-KANAL, 1,7 KV, 68 A, TO-247
• MOSFET, N-KANAL, 1,7 KV, 68 A, TO-247
• MOSFET, N-KANAL, 1,7 KV, 7 A, TO-247
• MOSFET, N-KANAL, 3,3 KV, 11 A, TO-247
• MOSFET, N-KANAL, 3,3 KV, 41 A, TO-247
• MOSFET, N-KANAL, 700 V, 140 A, TO-247
• MOSFET, N-KANAL, 700 V, 28 A, TO-247
• MOSFET, N-KANAL, 700 V, 39 A, TO-247
• MOSFET, N-KANAL, 700 V, 77 A, TO-247

Produktmerkmale

• Niedrige Kapazitäten und niedrige Gate-Ladung
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit aufgrund von geringem internen Messwiderstand (ESR)
• Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur von 175 Grad Celsius
• Zuverlässige Body-Diode mit kurzer Erholzeit
• Überragende Avalanche-Festigkeit
• RoHS-konform

Die Produktlinie der Schottky-Barriere-Dioden (SBDs) aus Siliziumkarbid (SiC) von Microchip erhöht die Leistung gegenüber Silizium-Dioden-Lösungen und senkt gleichzeitig die Gesamtbetriebskosten für Hochspannungsanwendungen.

Beschreibung

• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 10 A, TO-220
• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 10 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 15 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 20 A, TO-220
• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 20 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 30 A, TO-220
• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 30 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1,2 KV, 30 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1,7 KV, 10 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1,7 KV, 30 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1,7 KV, 50 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 3,3 KV, 184 A, T-MAX
• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 3,3 KV, 62 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 700 V, 10 A, TO-220
• SIC-SCHOTTKY-DIODE, 700 V, 30 A, TO-247

Sie können das durch Augmented Switching™ beschleunigte Development Kit ASDAK-2ASC-12A1HP-62-DK für Hochspannungsanwendungen mit SiC-MOSFET-Modulen (1200 V) verwenden. Diese Technologie nutzt die Vorteile unserer 700 V- und 1200 V-SiC-Technologie und umfasst die Hardware- und Softwareelemente, die erforderlich sind, um die Leistung von SiC-Modulen und -Systemen schnell zu optimieren.

Dieses neue Tool ermöglicht es Entwicklern, die Systemleistung mithilfe von Softwareeinstellungen mit dem intelligenten AgileSwitch®-Konfigurationstool (ICT) und einem Geräteprogrammierer anzupassen. Ein Löten ist nicht erforderlich.

Das ICT bietet die Konfiguration verschiedener Antriebsparameter, wie Ein/Aus-Gate-Spannungen, DC-Link- und Temperaturfehlerpegel sowie Augmented Switching-Profile.

Kleine Änderungen an den Augmented Switching-Profilen können zu deutlichen Verbesserungen bei Schalteffizienz, Überschwingungen, Rauschen und Kurzschlussschutz führen.

Anwendungen

• Elektrofahrzeuge (EVs)
• Hybridelektrokraftfahrzeuge (HEVs)
• DC-Smart Grids
• Industrie
• Ladestationen

Produktmerkmale

• Kompatibel mit SiC-MOSFET-Modulen (1200 V)
• Inklusive intelligentes Konfigurationstool (ICT)

Im Kit enthalten

• 3x 2ASC-12A1HP – 1200 V-Kern
• 1x 62CA1 – Moduladapter, 1200 V, 62 mm
• 1x ASBK-007 – Geräte-Programmiererkit
• 1x ICT-Software