LTC4357HMS8#PBF

LTC4357 ist ein positiver Hochspannungs-Ideale-Diode-Controller, der einen externen n-Kanal-MOSFET ansteuert, um eine Schottky-Diode zu ersetzen. Bei der Verwendung in Diode-OR- und Hochstrom-Diodenanwendungen reduziert der Baustein LTC4357 den Stromverbrauch, die Wärmeableitung, den Spannungsverlust und den Platzverbrauch auf der Leiterplatte. Der Baustein LTC4357 ermöglicht ein einfaches OR-ing von Stromquellen, um die Zuverlässigkeit des Gesamtsystems zu erhöhen. In Diode-OR-Anwendungen steuert der Baustein LTC4357 den Durchlassspannungsabfall über den MOSFET, um eine reibungslose Stromübertragung ohne Oszillation von einem Pfad zum anderen zu gewährleisten. Wenn die Stromquelle ausfällt oder kurzgeschlossen ist, minimiert ein schnelles Ausschalten Stromtransienten in Sperrrichtung. Der Baustein wird unter anderem in folgenden Anwendungen eingesetzt: redundante Netzteile (N + 1), Systeme mit hoher Verfügbarkeit, erweiterte TCA-Systeme, Telekommunikations-Infrastruktur und Kfz-Systeme.

• Reduziert die Verlustleistung durch Ersetzen einer Schottky-Leistungsdiode mit einem n-Kanal-MOSFET
• Ausschaltzeit von 0.5µs begrenzt den Spitzen-Fehlerstrom
• Großer Betriebsspannungsbereich: 9V bis 80V
• Reibungsloses Umschalten ohne Oszillation
• Kein DC-Strom in Sperrrichtung
• Versorgungsstrom, typ.: 0.5mA bei vollem Betriebstemperaturbereich
• Strom am IN-Pin, typ.: 350µA (VIN = VOUT ± 1V); Strom am OUT-Pin, typ.: 80µA (VIN = VOUT ± 1V)
• Gate-Ausschaltzeit, typ.: 300ns (VGATE – VIN <lt/> 1V, CGATE = 0pF)
• 8-poliges MSOP-Kunststoffgehäuse; Temperaturbereich: -40°C bis 125°C

Hinweise

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