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Galliumnitrid (GaN)-FETs:
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Drain-Source-Spannung Vds
Dauer-Drainstrom Id
Drain-Source-Durchgangswiderstand
Gate-Ladung, typ.
Bauform - Transistor
Transistormontage
Anzahl der Pins
Produktpalette
Qualifikation
Verpackung
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| Vergleichen | Preiseinheit | Menge | ||||||||||||||
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Stück | 1+ € 18,910 5+ € 18,570 10+ € 18,230 50+ € 16,220 100+ € 14,220 Weitere Preise … | Min.: 1 / Mult.: 1 | 650V | 47.2A | 0.041ohm | 22nC | TO-247 | Durchsteckmontage | 3Pin(s) | SuperGaN Series | AEC-Q101 | |||||
Stück | 1+ € 13,990 5+ € 13,470 10+ € 12,950 | Min.: 1 / Mult.: 1 | 650V | 34.5A | 0.06ohm | 15nC | TP-247 | Durchsteckmontage | 3Pin(s) | - | AEC-Q101 | |||||
