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Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module:

10 Produkte gefunden
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Ingenieur
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MOSFET-Modul-Konfiguration
Kanaltyp
Wandlerpolarität
Dauer-Drainstrom Id
Drain-Source-Spannung Vds
Drain-Source-Durchgangswiderstand
Betriebswiderstand, Rds(on)
Bauform - Transistor
Anzahl der Pins
Rds(on)-Prüfspannung
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
Verlustleistung
Verlustleistung Pd
Betriebstemperatur, max.
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VergleichenPreiseinheitMenge
IMT65R039M1HXUMA1
INFINEON IMT65R039M1HXUMA1
4228383RL

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

INFINEON
  1. Siliziumkarbid-MOSFET
  2. n-Kanal
  3. 61 A
  4. 650 V
  5. 0.039 ohm
  6. HSOF
Stück (Gurtabschnitt)
Re-Reeling
Verpackungsoptionen
10+
€ 6,590
50+
€ 6,060
100+
€ 5,050
250+
€ 4,950
Min.: 10 / Mult.: 1
-
n-Kanal
-
61A
650V
0.039ohm
-
HSOF
8Pin(s)
18V
5.7V
263W
-
175°C
CoolSiC Trench Series
IMT65R039M1HXUMA1
INFINEON IMT65R039M1HXUMA1
4228383

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

INFINEON
  1. Siliziumkarbid-MOSFET
  2. n-Kanal
  3. 61 A
  4. 650 V
  5. 0.039 ohm
  6. HSOF
Stück (Gurtabschnitt)
Gurtabschnitte
1+
€ 7,690
5+
€ 7,140
10+
€ 6,590
50+
€ 6,060
100+
€ 5,050
Weitere Preise …
Min.: 1 / Mult.: 1
-
n-Kanal
-
61A
650V
0.039ohm
-
HSOF
8Pin(s)
18V
5.7V
263W
-
175°C
CoolSiC Trench Series
NTHL040N120SC1
ONSEMI NTHL040N120SC1
3464007

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

ONSEMI
  1. Siliziumkarbid-MOSFET
  2. EliteSiC
  3. Eins
  4. n-Kanal
  5. 60 A
  6. 1.2 kV
  7. 0.039 ohm
  8. TO-247
Stück
1+
€ 19,360
5+
€ 16,630
10+
€ 13,890
50+
€ 13,610
100+
€ 13,330
Weitere Preise …
Min.: 1 / Mult.: 1
Eins
n-Kanal
-
60A
1.2kV
0.039ohm
-
TO-247
3Pin(s)
20V
2.97V
348W
-
175°C
EliteSiC Series
IMW65R039M1HXKSA1
INFINEON IMW65R039M1HXKSA1
3889202

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

INFINEON
  1. Siliziumkarbid-MOSFET
  2. Eins
  3. n-Kanal
  4. 46 A
  5. 650 V
  6. 0.039 ohm
  7. TO-247
Stück
1+
€ 9,550
5+
€ 7,530
10+
€ 5,510
50+
€ 5,250
100+
€ 4,980
Weitere Preise …
Min.: 1 / Mult.: 1
Eins
n-Kanal
-
46A
650V
0.039ohm
-
TO-247
3Pin(s)
18V
4.5V
176W
-
175°C
CoolSiC Series
IMZA65R039M1HXKSA1
INFINEON IMZA65R039M1HXKSA1
3889206

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

INFINEON
  1. Siliziumkarbid-MOSFET
  2. Eins
  3. n-Kanal
  4. 50 A
  5. 650 V
  6. 0.039 ohm
  7. TO-247
Stück
1+
€ 8,010
5+
€ 6,690
10+
€ 5,370
50+
€ 5,280
100+
€ 5,180
Weitere Preise …
Min.: 1 / Mult.: 1
Eins
n-Kanal
-
50A
650V
0.039ohm
-
TO-247
4Pin(s)
18V
4.5V
176W
-
175°C
CoolSiC Series
IMZA120R040M1HXKSA1
INFINEON IMZA120R040M1HXKSA1
3958247

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

INFINEON
  1. Siliziumkarbid-MOSFET
  2. Eins
  3. n-Kanal
  4. 55 A
  5. 1.2 kV
  6. 0.039 ohm
  7. TO-247
Stück
1+
€ 12,830
5+
€ 10,200
10+
€ 7,560
50+
€ 7,180
100+
€ 6,800
Weitere Preise …
Min.: 1 / Mult.: 1
Eins
n-Kanal
-
55A
1.2kV
0.039ohm
-
TO-247
4Pin(s)
18V
4.2V
227W
-
175°C
Produktreihe CoolSiC Trench
IMW120R040M1HXKSA1
INFINEON IMW120R040M1HXKSA1
3958242

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

INFINEON
  1. Siliziumkarbid-MOSFET
  2. Eins
  3. n-Kanal
  4. 55 A
  5. 1.2 kV
  6. 0.039 ohm
  7. TO-247
Stück
1+
€ 11,180
5+
€ 9,220
10+
€ 7,250
50+
€ 6,880
100+
€ 6,510
Weitere Preise …
Min.: 1 / Mult.: 1
Eins
n-Kanal
-
55A
1.2kV
0.039ohm
-
TO-247
3Pin(s)
18V
4.2V
227W
-
175°C
Produktreihe CoolSiC Trench
IMBG65R039M1HXTMA1
INFINEON IMBG65R039M1HXTMA1
3928617

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

INFINEON
  1. Siliziumkarbid-MOSFET
  2. Eins
  3. n-Kanal
  4. 54 A
  5. 650 V
  6. 0.039 ohm
  7. TO-263
Stück (Gurtabschnitt)
Gurtabschnitte
1+
€ 6,100
5+
€ 5,670
10+
€ 5,230
50+
€ 5,070
100+
€ 4,900
Weitere Preise …
Min.: 1 / Mult.: 1
Eins
n-Kanal
-
54A
650V
0.039ohm
-
TO-263
7Pin(s)
18V
4.5V
211W
-
175°C
CoolSiC M1 Trench Series
IMBG65R039M1HXTMA1
INFINEON IMBG65R039M1HXTMA1
3928617RL

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

INFINEON
  1. Siliziumkarbid-MOSFET
  2. Eins
  3. n-Kanal
  4. 54 A
  5. 650 V
  6. 0.039 ohm
  7. TO-263
Stück (Gurtabschnitt)
Re-Reeling
Verpackungsoptionen
10+
€ 5,230
50+
€ 5,070
100+
€ 4,900
250+
€ 4,800
Min.: 10 / Mult.: 1
Eins
n-Kanal
n-Kanal
54A
650V
0.039ohm
0.039ohm
TO-263
7Pin(s)
18V
4.5V
211W
211W
175°C
CoolSiC M1 Trench Series
UF4SC120030B7S
ONSEMI UF4SC120030B7S
4750188

Data Sheet

RoHS

ONSEMI
  1. Siliziumkarbid-MOSFET
  2. Eins
  3. n-Kanal
  4. 56 A
  5. 1.2 kV
  6. 0.039 ohm
  7. TO-263 (D2PAK)
Stück (Gurtabschnitt)
Gurtabschnitte
1+
€ 19,300
5+
€ 18,230
10+
€ 17,150
50+
€ 17,140
100+
€ 15,010
Weitere Preise …
Min.: 1 / Mult.: 1
Eins
n-Kanal
-
56A
1.2kV
0.039ohm
-
TO-263 (D2PAK)
7Pin(s)
12V
6V
341W
-
175°C
EliteSiC Series
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