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DMN3010LK3-13
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 8000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN3010LK3-13
Bestellnummer3943573RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id43A
Drain-Source-Durchgangswiderstand8000µohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung1.6W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
43A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.6W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
8000µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung