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DMN3016LSS-13
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 0,440 |
| 100+ | € 0,300 |
| 500+ | € 0,229 |
| 1000+ | € 0,200 |
| 5000+ | € 0,158 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN3016LSS-13
Bestellnummer3943578
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id10.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.008ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung1.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
10.3A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.008ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung