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FMMT718
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 1.5 A, 625 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerFMMT718
Bestellnummer9526463
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.20V
Dauerkollektorstrom1.5A
Verlustleistung625mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz180MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.300hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FMMT718 ist ein bipolarer PNP-Silizium-Leistungs-Schalttransistor, der eine Verlustleistung von 625mW und eine äußerst niedrige Sättigungsspannung bietet.
- Impulsspitzenstrom: 10A
- Hervorragende hFE-Charakteristik: bis zu 10A
- Weist einen äußerst niedrigen äquivalenten Durchgangswiderstand auf
- Komplementärer NPN-Transistor: FMMT618
- Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
1.5A
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
300hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
20V
Verlustleistung
625mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
180MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FMMT718
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000257
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