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MMBT2222A-7-F
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| 500+ | € 0,0324 |
| 1000+ | € 0,0246 |
| 5000+ | € 0,0175 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerMMBT2222A-7-F
Bestellnummer1773626
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauer-Kollektorstrom600mA
Verlustleistung310mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz300MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBT2222A-7-F is a 40V NPN small signal transistor with matte tin-plated terminals. The terminals can solderable as per MIL-STD-202, method 208. The case is made of moulded plastic, "Green" moulding compound (UL94V-0). The transistor is ideal for low-power amplification and switching.
- Epitaxial planar die construction
- Low saturation voltage VCE(sat) < 300mV at 150mA
- Complementary PNP type: MMBT2907A
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
600mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
310mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für MMBT2222A-7-F
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006