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DI7A6N10SQ
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 500+ | € 0,374 |
| 1000+ | € 0,339 |
| 5000+ | € 0,266 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIOTEC
HerstellerteilenummerDI7A6N10SQ
Bestellnummer4555496RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id7.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung2.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.02ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
7.6A
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000115