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BF998E6327HTSA1
HF-FET-Transistor, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBF998E6327HTSA1
Bestellnummer4318965
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds12V
Dauer-Drainstrom Id30mA
Verlustleistung200mW
Betriebsfrequenz, min.-
Betriebsfrequenz, max.-
Bauform - TransistorTO-252
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
12V
Verlustleistung
200mW
Betriebsfrequenz, max.
-
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
Dauer-Drainstrom Id
30mA
Betriebsfrequenz, min.
-
Bauform - Transistor
TO-252
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000635
Produktnachverfolgung