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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFR182WH6327XTSA1
Bestellnummer2480679
Auch bekannt alsBFR 182W H6327, SP000750420
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
5+ | € 0,124 |
50+ | € 0,0706 |
250+ | € 0,0582 |
1000+ | € 0,0525 |
5000+ | € 0,0477 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFR182WH6327XTSA1
Bestellnummer2480679
Auch bekannt alsBFR 182W H6327, SP000750420
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.12V
Übergangsfrequenz8GHz
Verlustleistung250mW
Dauerkollektorstrom35mA
Bauform - TransistorSOT-323
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.70hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BFR 182W H6327 is a NPN low-noise Silicon Bipolar RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1 to 20mA. The device is suitable for amplifier and oscillator applications in RF front-end.
- Halogen-free
Anwendungen
Industrie, Wireless, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
8GHz
Dauerkollektorstrom
35mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
12V
Verlustleistung
250mW
Bauform - Transistor
SOT-323
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
70hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000048
Produktnachverfolgung