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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSZ013NE2LS5IATMA1
Bestellnummer3227618
ProduktpaletteOptiMOS 5
Auch bekannt alsBSZ013NE2LS5I, SP001288148
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds25V
Dauer-Drainstrom Id40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0011ohm
Bauform - TransistorTSDSON-FL
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung69W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteOptiMOS 5
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BSZ013NE2LS5IATMA1 is a OptiMOS 5 N channel Power-MOSFET in 8 pin TSDSON-FL package. It is optimized for high performance buck converters.
- Monolithic integrated Schottky-like diode
- Very low on-resistance RDS(on) at VGS = 4.5V
- 100% avalanche tested
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
40A
Bauform - Transistor
TSDSON-FL
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
69W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
25V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0011ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 5
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Alternativen für BSZ013NE2LS5IATMA1
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.02268
Produktnachverfolgung