CY62126EV30LL-45ZSXIT

Der Speicherbaustein CY62126EV30LL-45ZSXIT ist ein leistungsstarker statischer RAM im CMOS-Format, der als 64K Wörter à 16 Bit organisiert ist. Dieser Baustein verwendet ein fortschrittliches Schaltungsdesign, das eine äußerst geringe Stromaufnahme im aktiven Modus bewirkt. Er ist ideal zum Bereitstellen von More Battery Life™ (MoBL®) in tragbaren Anwendungen, wie Mobiltelefonen. Zudem verfügt er über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch deutlich reduziert, wenn die Adressen nicht wechseln. Durch Umschalten des Bausteins in den Standby-Modus wird der Stromverbrauch des deselektierten Bausteins (low-aktiver CE ist HIGH) um über 99% reduziert. Die Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochimpedanten Zustand versetzt, wenn der Baustein deselektiert wird (low-aktiver CE ist HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (low-aktiver OE ist HIGH), Byte-High-Enable und Byte-Low-Enable beide deaktiviert werden (low-aktiver BHE, low-aktiver BLE sind HIGH) oder ein Schreibvorgang ausgeführt wird (low-aktiver CE ist LOW und low-aktiver WE ist LOW).

• Hohe Geschwindigkeit: 45ns
• Großer Spannungsbereich: 2.2V bis 3.6V
• Pinkompatibel mit CY62126DV30
• Standby-Strom, max.: 4µA
• Stromaufnahme im aktiven Modus: typ. 1.3mA bei f=1MHz
• Einfache Speichererweiterung mit low-aktivem CE und low-aktivem OE
• Automatische Abschaltung im deselektierten Zustand
• CMOS-Technologie (komplementärer Metalloxid-Halbleiter) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
• 44-poliges TSOP II-Gehäuse
• Industrieller Umgebungstemperaturbereich: -40°C bis +85°C

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.