CY7C199D-10VXIT

Der Speicherbaustein CY7C199D-10VXIT ist ein leistungsstarker statischer RAM im CMOS-Format, der als 32.768 Wörter à 8 Bit organisiert ist. Der Speicher lässt sich einfach erweitern über einen LOW-aktiven Chip-Enable-Pin (low-aktiver CE), einen LOW-aktiven Output-Enable-Pin (low-aktiver OE) und Tri-State-Treiber. Dieser Baustein umfasst eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch im deselektierten Zustand reduziert. Die Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochimpedanten Zustand versetzt, wenn der Baustein deselektiert wird (low-aktiver CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (low-aktiver OE HIGH) oder ein Schreibvorgang ausgeführt wird (low-aktiver CE LOW und low-aktiver WE LOW). Zum Schreiben auf dem Baustein wird der Chip-Enable-Eingang (low-aktiver CE) und der Write-Enable-Eingang (low-aktiver WE) auf LOW gesetzt. Zum Lesen vom Baustein wird Chip-Enable (low-aktiver CE) und Output-Enable (low-aktiver OE) auf LOW gesetzt und dabei Write-Enable (low-aktiver WE) auf HIGH gezogen. Der CY7C199D ist für die Verbindung mit Prozessoren mit TTL-Eingangspegeln geeignet.

• Pin- und funktionskompatibel mit CY7C199C
• Hohe Geschwindigkeit: tAA=10ns
• Niedrige Stromaufnahme im aktiven Modus: ICC=80mA bei 10ns
• Niedrige CMOS-Standby-Stromaufnahme: ISB2=3mA
• Datenspeicherung: 2.0V; Nennspannung: 5V ± 0.5V
• Automatische Abschaltung im deselektierten Zustand
• CMOS-Technologie (komplementärer Metalloxid-Halbleiter) für optimale Geschwindigkeit/Leistung
• TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge
• 28-poliges SOJ-Formgehäuse
• Industrieller Umgebungstemperaturbereich: -40°C bis +85°C