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FZ2000R33HE4BOSA1
IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerFZ2000R33HE4BOSA1
Bestellnummer3324632
ProduktpaletteIHM-B Series
Auch bekannt alsFZ2000R33HE4, SP003062218
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerFZ2000R33HE4BOSA1
Bestellnummer3324632
ProduktpaletteIHM-B Series
Auch bekannt alsFZ2000R33HE4, SP003062218
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationEinfach, Schalter
Dauerkollektorstrom2kA
DC-Kollektorstrom2kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)2.2V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.45V
Verlustleistung-
Verlustleistung Pd-
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussLötfahne
Kollektor-Emitter-Spannung, max.3.3kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo3.3kV
IGBT-TechnologieIGBT 4 [Trench/Feldstop]
TransistormontagePlatte
ProduktpaletteIHM-B Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
FZ2000R33HE4BOSA1 is a IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode. Potential applications includes motor drives, traction drives, UPS systems, medium-voltage converters, high-power converters, active frontend (energy recovery). Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068.
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- High power density, isolated base plate
- High DC stability, high short-circuit capability
- Low switching losses, unbeatable robustness
- Stray inductance module is 6nH (typ)
- Module lead resistance, terminals - chip is 0.08mohm (TC = 25 °C, per switch)
- Collector-emitter voltage is 3300V (Tvj = -40°C)
- Repetitive peak collector current is 4000A (tp limited by Tvj op)
- Gate threshold voltage is 5.80V (typ, IC = 94mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- Temperature under switching conditions range from -40 to 150°C
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Einfach, Schalter
DC-Kollektorstrom
2kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.45V
Verlustleistung Pd
-
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Lötfahne
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
3.3kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dauerkollektorstrom
2kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
2.2V
Verlustleistung
-
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
3.3kV
IGBT-Technologie
IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Produktpalette
IHM-B Series
Technische Dokumente (1)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):1.151
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