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IGD10N65T6ARMA1
IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGD10N65T6ARMA1
Bestellnummer3648087
ProduktpaletteTRENCHSTOP IGBT6
Auch bekannt alsIGD10N65T6, SP004275478
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,560 |
| 10+ | € 1,230 |
| 100+ | € 1,040 |
| 500+ | € 0,876 |
| 1000+ | € 0,858 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGD10N65T6ARMA1
Bestellnummer3648087
ProduktpaletteTRENCHSTOP IGBT6
Auch bekannt alsIGD10N65T6, SP004275478
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom23A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.5V
Verlustleistung75W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageOberflächenmontage
ProduktpaletteTRENCHSTOP IGBT6
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Alternativen für IGD10N65T6ARMA1
1 Produkt(e) gefunden
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
23A
Verlustleistung
75W
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
TRENCHSTOP IGBT6
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.5V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung