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IPAN50R500CEXKSA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPAN50R500CEXKSA1
Bestellnummer3816952
ProduktpaletteCoolMOS CE
Auch bekannt alsSP001508834, IPAN50R500CE
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,140 |
| 10+ | € 0,802 |
| 100+ | € 0,528 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPAN50R500CEXKSA1
Bestellnummer3816952
ProduktpaletteCoolMOS CE
Auch bekannt alsSP001508834, IPAN50R500CE
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id11.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.45ohm
Bauform - TransistorTO-220FP
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung13V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung28W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS CE
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
11.1A
Bauform - Transistor
TO-220FP
Rds(on)-Prüfspannung
13V
Verlustleistung
28W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.45ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS CE
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung