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IPD50R800CEAUMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD50R800CEAUMA1
Bestellnummer3703610RL
ProduktpaletteCoolMOS CE
Auch bekannt alsIPD50R800CE, SP001396798
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 500+ | € 0,242 |
| 1000+ | € 0,206 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD50R800CEAUMA1
Bestellnummer3703610RL
ProduktpaletteCoolMOS CE
Auch bekannt alsIPD50R800CE, SP001396798
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id7.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.72ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung13V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung60W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS CE
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Alternativen für IPD50R800CEAUMA1
1 Produkt(e) gefunden
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
7.6A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
13V
Verlustleistung
60W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.72ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS CE
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002