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IPN50R2K0CEATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPN50R2K0CEATMA1
Bestellnummer2617454
ProduktpaletteCoolMOS CE
Auch bekannt alsIPN50R2K0CE, SP001461194
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
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| 500+ | € 0,183 |
| 1000+ | € 0,177 |
| 5000+ | € 0,133 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPN50R2K0CEATMA1
Bestellnummer2617454
ProduktpaletteCoolMOS CE
Auch bekannt alsIPN50R2K0CE, SP001461194
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.8ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung13V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung5W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS CE
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.6A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
13V
Verlustleistung
5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.8ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS CE
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
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