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IPT020N10N3ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPT020N10N3ATMA1
Bestellnummer2480869RL
Auch bekannt alsIPT020N10N3, SP001100160
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 2,310 |
| 500+ | € 2,190 |
| 1000+ | € 2,150 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPT020N10N3ATMA1
Bestellnummer2480869RL
Auch bekannt alsIPT020N10N3, SP001100160
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id300A
Drain-Source-Durchgangswiderstand2000µohm
Bauform - TransistorHSOF
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.7V
Verlustleistung375W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell IPT020N10N3 handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für Hochstromanwendungen optimiert wurde. Er stellt die perfekte Lösung für Hochleistungsanwendungen dar, die einen enorm hohen Wirkungsgrad, ein herausragendes EMI- und thermisches Verhalten und kompakte Abmessungen erfordern.
- Branchenweit niedrigster RDS(on)
- Höchste Strombelastbarkeit bis zu 300A
- Niedrige parasitäre Induktivität
- Weniger Parallelschaltung und Kühlung erforderlich
- Höchste Systemzuverlässigkeit
- Ermöglicht ein sehr kompaktes Design
- Normal-Level
- Hervorragendes Gateladung x RDS (ON) Produkt (FOM)
- Äußerst geringer Durchgangswiderstand RDS(ON)
- Hohe Strombelastbarkeit
- Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen
- Halogenfrei, umweltfreundlich
Anwendungen
Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Beleuchtung, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
300A
Bauform - Transistor
HSOF
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
375W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
2000µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.7V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IPT020N10N3ATMA1
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001436
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